本發(fā)明涉及一種砷化鎵晶片,所述晶片表面的硫含量低于2×10
15原子/cm
3,優(yōu)選低于5×10
14原子/cm
3,所述晶片表面的硫含量通過本發(fā)明說明書實(shí)施例中第III部分定義的檢測(cè)方法進(jìn)行測(cè)定。本發(fā)明還涉及所述砷化鎵晶片的制備方法,包括以下步驟:1)使用酸或堿溶液對(duì)晶片表面進(jìn)行浸泡清洗;2)對(duì)晶片進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光;3)拋光后,使用氧化劑對(duì)晶片表面進(jìn)行氧化;4)對(duì)晶片經(jīng)過堿溶液處理,隨后用去離子水清洗;5)對(duì)晶片經(jīng)過SC?1溶液處理,隨后用去離子水清洗;6)干燥所得晶片;7)再次使用氧化劑對(duì)晶片表面進(jìn)行處理;8)氮?dú)饣蛘婵瞻b。
聲明:
“砷化鎵晶片及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)