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新型的用于晶圓二氧化硅背封膜生長過程的硅片承載裝置和生長方法

992 編輯：管理員來源：中冶有色技術網(wǎng)

2023-03-19 07:57:09

本發(fā)明提供一種新型的用于晶圓二氧化硅背封膜生長過程的硅片承載裝置和生長方法，該裝置包括圓形的上基座和下基座，以及安裝在上、下基座之間的三個承載棒，每個承載棒上均勻分布數(shù)個承載槽。采用該硅片承載裝置生長二氧化硅背封膜的方法包括以下步驟：(1)將若干個硅片承載裝置安裝在化學氣相沉積水平臥式爐的沉積腔體內(nèi)，然后將硅片導入該些硅片承載裝置；(2)設定沉積腔體內(nèi)的溫度和壓力，設定正硅酸乙酯蒸汽的流量，控制沉積時間；(3)沉積完成后，進行腔體凈化，取出硅片測定片內(nèi)和片間均勻性；(4)整爐硅片進行外觀表面檢測，計算良率。采用本發(fā)明生長出來的背封二氧化硅背封膜邊緣沒有印記，整個表面均勻一致，膜質質量大幅提升。

聲明：

“新型的用于晶圓二氧化硅背封膜生長過程的硅片承載裝置和生長方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。

我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)