2/Ga2O3納米相結(jié)的柔性日盲紫外探測器及其制備方法,化學(xué)分析"> 2/Ga2O3納米相結(jié)的柔性日盲紫外探測器及其制備方法,本發(fā)明涉及一種基于TiO2/Ga2O3納米相結(jié)的柔性日盲紫外探測器及其制備方法,探測器包括Ag上電極,柔性鈦片下電極,位于所述Ag上電極和所述柔性鈦片下電極之間的TiO2/α/β?Ga2O3相結(jié)納米柱陣列和石墨烯/Ag納米線復(fù)合電極,其中,柔性鈦片作為柔性鈦片襯底;所述TiO2/α/β?Ga2O3相結(jié)納米柱陣列包括位于所述柔性鈦片襯底上TiO2層,位于所述TiO2層上的α/β?Ga2O3相結(jié)納米柱陣列,所述α/β?Ga2O3相結(jié)納米柱陣列包括若干間隔設(shè)置的">

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基于TiO2/Ga2O3納米相結(jié)的柔性日盲紫外探測器及其制備方法

1032   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-19 07:28:45
本發(fā)明涉及一種基于TiO2/Ga2O3納米相結(jié)的柔性日盲紫外探測器及其制備方法,探測器包括Ag上電極,柔性鈦片下電極,位于所述Ag上電極和所述柔性鈦片下電極之間的TiO2/α/β?Ga2O3相結(jié)納米柱陣列和石墨烯/Ag納米線復(fù)合電極,其中,柔性鈦片作為柔性鈦片襯底;所述TiO2/α/β?Ga2O3相結(jié)納米柱陣列包括位于所述柔性鈦片襯底上TiO2層,位于所述TiO2層上的α/β?Ga2O3相結(jié)納米柱陣列,所述α/β?Ga2O3相結(jié)納米柱陣列包括若干間隔設(shè)置的α/β?Ga2O3相結(jié)納米柱;所述石墨烯/Ag納米線復(fù)合電極位于所述α/β?Ga2O3相結(jié)納米柱背離所述TiO2層一端,所述Ag上電極部分覆蓋所述石墨烯/Ag納米線復(fù)合電極。本發(fā)明的多異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)日盲紫外探測器,日盲特性穩(wěn)定,具有優(yōu)異的化學(xué)和熱穩(wěn)定性,有望在可穿戴、便捷式的紫外探測器領(lǐng)域廣泛應(yīng)用。
聲明:
“基于TiO2/Ga2O3納米相結(jié)的柔性日盲紫外探測器及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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