一種折射面入光探測(cè)器的制作方法，制作過(guò)程包括如下步驟：步驟1： 在襯底上采用MOCVD的方法生長(zhǎng)探測(cè)器材料結(jié)構(gòu)；步驟2：在探測(cè)器材料 結(jié)構(gòu)的上面制作p型歐姆接觸；步驟3：在p型歐姆接觸的周邊向下刻蝕， 形成探測(cè)器臺(tái)面結(jié)構(gòu)；步驟4：在步驟3形成的器件的上表面生長(zhǎng)第一SiO2 層；步驟5：在探測(cè)器臺(tái)面結(jié)構(gòu)的一側(cè)腐蝕掉部分第一SiO2層，形成條形 掩模圖形結(jié)構(gòu)；步驟6：在掩膜圖形結(jié)構(gòu)上，采用化學(xué)腐蝕的方法，向下 腐蝕出燕尾槽；步驟7：腐蝕掉器件表面的第一SiO2層，重新在整個(gè)器件 的表面生長(zhǎng)第二SiO2層；步驟8：在燕尾槽中填入聚合物，使得材料表面 平整；腐蝕掉p歐姆接觸上的第二SiO2層；步驟9：在探測(cè)器臺(tái)面結(jié)構(gòu)的 一側(cè)制作p型金屬電極；步驟10：將襯底減薄，在襯底的背面制作金屬電 極；步驟11：清除掉燕尾槽中的聚合物，解理芯片，完成整個(gè)器件的制作。