本發(fā)明涉及表面處理技術領域,具體涉及一種閃鋅礦結構化合物半導體的各向異性化學腐蝕液及其腐蝕方法。本發(fā)明所提供的腐蝕液包括氫氟酸、雙氧水和去離子水,當氫氟酸采用體積百分數為40%的氫氟酸溶液、雙氧水采用質量百分數為30%的雙氧水溶液時,所述氫氟酸溶液、雙氧水溶液和去離子水的體積比為(1.5~3):(1~2):1。該化學腐蝕液可以在閃鋅礦結構化合物半導體的表面形成具有陷光作用的微納結構,進而提高探測器的光耦合效率。本發(fā)明還提供閃鋅礦結構化合物半導體的化學腐蝕方法,其可以快速而均勻地進行晶體減薄,并且減薄過程幾乎不會導致晶體破碎,并最終可以提高襯底的光透過率,提高器件的光耦合效率,降低成本和時間。
聲明:
“閃鋅礦結構化合物半導體的化學腐蝕液及其腐蝕方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯系該技術所有人。
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