本發(fā)明屬于
納米材料和
電化學(xué)傳感的交叉技術(shù)領(lǐng)域,涉及一種基于分子印跡聚合物/還原氧化
石墨烯?銀納米顆粒/泡沫鎳的天麻素電化學(xué)傳感器的制備方法;采用Hummers法制備氧化石墨烯,將氧化石墨烯和銀氨溶液共還原成還原氧化石墨烯和銀納米顆粒沉積在泡沫鎳表面;以吡咯為單體,天麻素為模板分子,在修飾的泡沫鎳電極表面通過電聚合生成聚吡咯;去除模版分子制得具有天麻素印跡的聚吡咯/還原氧化石墨烯?銀納米顆粒/泡沫鎳的體系;擬合天麻素在該體系的電解液中濃度與氧化電流峰強(qiáng)度之間的線性關(guān)系,構(gòu)建基于該體系的天麻素電化學(xué)傳感器;該傳感器工藝簡(jiǎn)單,制備成本低,產(chǎn)品靈敏度高,可作為一種新穎的電化學(xué)傳感器用于天麻素的高效檢測(cè)。
聲明:
“分子印跡聚合物天麻素電化學(xué)傳感器的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)