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可拋式電化學印跡傳感器的制備方法

1018 編輯：管理員來源：中冶有色技術網(wǎng)

2023-03-19 06:57:24

本發(fā)明涉及一種可拋式電化學印跡傳感器的制備方法。首先在絲網(wǎng)印刷電極表面修飾薄層二硫化鉬，采用電化學技術將其制備成還原態(tài)二硫化鉬，然后利用多巴胺的自發(fā)聚合特性，形成分子印跡聚合物薄膜，最后利用聚多巴胺的氨基和羥基官能團，在其表面原位還原生長納米金顆粒，得到基于二硫化鉬/聚多巴胺/納米金分子印跡聚合物膜修飾的可拋式電化學傳感器。本發(fā)明同現(xiàn)有技術相比，合成分子印跡聚合物的過程操作簡單，不需要引入交聯(lián)劑和引發(fā)劑，能夠降低成本且環(huán)境友好，解決了現(xiàn)有技術制備過程繁瑣，方法識別能力有限等問題；制備得到的可拋式電化學傳感器能實現(xiàn)對目標分子的高選擇性檢測，結合便攜式電化學工作站，能滿足現(xiàn)場高通量的實際檢測需求。

聲明：

“可拋式電化學印跡傳感器的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。

我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)