一種暴露半導(dǎo)體襯底的方法和失效分析方法,所述暴露半導(dǎo)體襯底的方法包括:提供半導(dǎo)體樣品,所述半導(dǎo)體樣品從下至上依次包括半導(dǎo)體襯底、氧化層和半導(dǎo)體多晶層;用化學(xué)溶液去除所述半導(dǎo)體襯底和半導(dǎo)體多晶層之間的氧化層,所述化學(xué)溶液為緩沖氧化蝕刻溶液或氫氟酸;用超聲波振蕩去除所述半導(dǎo)體多晶層,暴露出所述半導(dǎo)體襯底。所述暴露半導(dǎo)體襯底的方法和失效分析方法解決了現(xiàn)有技術(shù)逐層剝除半導(dǎo)體襯底上方的半導(dǎo)體多晶層和氧化層會(huì)損傷半導(dǎo)體襯底的問題。
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