本發(fā)明公開了一種可在線/原位監(jiān)測的微波等離子體化學(xué)氣相沉積設(shè)備,在進(jìn)行薄膜材料生長的過程中,采用光譜檢測裝置對等離子輝光的發(fā)射光譜以及薄膜材料的生長溫度等信息進(jìn)行監(jiān)測和分析,并采用X射線檢測技術(shù),對材料生長過程中的表面狀態(tài)及晶體質(zhì)量的演變進(jìn)行實時把控和分析。采用質(zhì)譜檢測技術(shù)對氣源及腔體生長環(huán)境中的氣體組分進(jìn)行分析,動態(tài)監(jiān)測整個生長過程中氣源組分及腔體生長環(huán)境的變化,結(jié)合光譜與X射線的監(jiān)測結(jié)果,能夠為掌握整個MPCVD生長過程中薄膜材料生長的演變規(guī)律,確定缺陷的產(chǎn)生與生長條件及環(huán)境之間的關(guān)聯(lián)性提供決定性的證據(jù),進(jìn)而能夠為薄膜生長質(zhì)量的控制以及生長環(huán)境潔凈度的提高提供更為有力的技術(shù)支撐。
聲明:
“可在線/原位監(jiān)測的微波等離子體化學(xué)氣相沉積設(shè)備” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)