本發(fā)明公開(kāi)了半導(dǎo)體制造技術(shù)以及
納米材料應(yīng)用技術(shù)領(lǐng)域中的一種熱分析型化學(xué)及氣體探測(cè)傳感器,用于解決
碳納米管單獨(dú)作為傳感器應(yīng)用存在的缺陷。包括半導(dǎo)體襯底、懸空結(jié)構(gòu)、加熱元件、測(cè)溫元件、絕緣層和用于生長(zhǎng)碳納米管薄膜的催化劑層;懸空結(jié)構(gòu)的兩端固定在半導(dǎo)體襯底上,并且懸空結(jié)構(gòu)的下表面與半導(dǎo)體襯底不接觸;懸空結(jié)構(gòu)的上表面布設(shè)加熱元件和測(cè)溫元件;加熱元件和測(cè)溫元件上表面布設(shè)絕緣層;催化劑層覆蓋整個(gè)懸空結(jié)構(gòu)和絕緣層。本發(fā)明采用直接生長(zhǎng)的方式,將較高熱導(dǎo)率和熱穩(wěn)定性的碳納米管薄膜集成在懸空結(jié)構(gòu)上,可以滿足熱分析傳感器對(duì)于高吸附能力材料的要求,提高熱分析型傳感器的性能。
聲明:
“熱分析型化學(xué)及氣體探測(cè)傳感器” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專(zhuān)利(論文)的發(fā)明人(作者)