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VDMOS垂直柵場效應(yīng)晶體管性能檢測裝置

1162   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-19 06:22:11
本發(fā)明涉及晶體管檢測技術(shù)領(lǐng)域,尤其為VDMOS垂直柵場效應(yīng)晶體管性能檢測裝置,包括電路板和晶體管,所述電路板的頂端固定連接有擋板,所述擋板的頂端一側(cè)固定連接有水平設(shè)置的電熱絲,所述電路板的頂端電性連接有鋼絲,所述鋼絲的另一端固定連接有水平設(shè)置的壓板,所述壓板的頂端固定連接有豎直設(shè)置的彈簧,且彈簧的頂端與電路板的底端固定連接,本發(fā)明中,通過設(shè)置的電熱絲、曲桿和金屬絲實現(xiàn)對高溫狀態(tài)下的晶體管的穩(wěn)定性測試,能夠檢測晶體管能否在散熱不良的惡劣的工作環(huán)境中正常運作,縮短實驗參數(shù)與實際使用的參數(shù)之間的差距,這種設(shè)計構(gòu)思新穎,設(shè)計科學(xué),具有巨大的經(jīng)濟效益和廣泛的市場前景,值得推廣使用。
聲明:
“VDMOS垂直柵場效應(yīng)晶體管性能檢測裝置” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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