本發(fā)明公開一種有機(jī)單晶半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法,所述的有機(jī)單晶半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括襯底,自下而上沉積在襯底上的輔助生長(zhǎng)層、電極、有機(jī)單晶半導(dǎo)體層;所述的有機(jī)單晶半導(dǎo)體層為跨越電極前后形貌基本不變的的有機(jī)半導(dǎo)體單晶薄膜,所述的有機(jī)半導(dǎo)體單晶薄膜能夠在任意形狀和任意尺寸的底接觸型襯底上實(shí)現(xiàn)全覆蓋,獲得了在工業(yè)化規(guī)模上近乎理想的形貌。該有機(jī)單晶半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)可以用作有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的關(guān)鍵部分,實(shí)現(xiàn)載流子的快速傳輸。本發(fā)明在該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上,還提供一種制備方便、性能高效的有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件,在有機(jī)光電領(lǐng)域有良好的應(yīng)用前景。
聲明:
“有機(jī)單晶半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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