本發(fā)明公開了一種具有陷光結(jié)構(gòu)的
鈣鈦礦光電探測器及制作方法,包括自下而上依次分布的具有SU8表面納米陷光陣列的減反層、ITO玻璃襯底、ITO納米陷光結(jié)構(gòu)、空穴傳輸層、鈣鈦礦光活性層、電子傳輸層,在電子傳輸層上方設(shè)有陰極,在ITO納米陷光結(jié)構(gòu)上方設(shè)有陽極;納米陷光陣列的減反層為SU?8減反射膜,減反射膜具有類半球結(jié)構(gòu)的表面減反陣列的陷光結(jié)構(gòu);ITO納米陷光結(jié)構(gòu)為具有二維結(jié)構(gòu)孔形或柱形陣列結(jié)構(gòu)。該結(jié)構(gòu)具有良好的陷光效果,增加光程,增強(qiáng)有效光吸收,產(chǎn)生更多的載流子和更大光電流,提高明暗對(duì)比度、外量子效率和光電靈敏度。
聲明:
“具有陷光結(jié)構(gòu)的鈣鈦礦光電探測器及制作方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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