3Cu2I5鈣鈦礦的自供能光電探測(cè)器及其制備方法,探礦技術(shù)"> 3Cu2I5鈣鈦礦的自供能光電探測(cè)器及其制備方法,本發(fā)明屬于半導(dǎo)體光電探測(cè)技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種基于Cs3Cu2I5鈣鈦礦的自供能光電探測(cè)器及其制備方法,自供能光電探測(cè)器包括絕緣透明的襯底,襯底的上端從下到上依次設(shè)有載流子傳輸層、Cs3Cu2I5光吸收層和第一接觸電極,載流子傳輸層上設(shè)有第二接觸電極;制備方法采用磁控濺射或金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積方法制備載流子傳輸層,采用溶液或氣相共蒸方法制備Cs3Cu2I5光吸收層,保證載流子傳輸層與Cs3Cu2I5光吸收層之間形成交錯(cuò)型能帶排列,利用異質(zhì)結(jié)界面處內(nèi)建電場(chǎng)">
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