3Cu2I5鈣鈦礦的自供能光電探測(cè)器及其制備方法,探礦技術(shù)"> 3Cu2I5鈣鈦礦的自供能光電探測(cè)器及其制備方法,本發(fā)明屬于半導(dǎo)體光電探測(cè)技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種基于Cs3Cu2I5鈣鈦礦的自供能光電探測(cè)器及其制備方法,自供能光電探測(cè)器包括絕緣透明的襯底,襯底的上端從下到上依次設(shè)有載流子傳輸層、Cs3Cu2I5光吸收層和第一接觸電極,載流子傳輸層上設(shè)有第二接觸電極;制備方法采用磁控濺射或金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積方法制備載流子傳輸層,采用溶液或氣相共蒸方法制備Cs3Cu2I5光吸收層,保證載流子傳輸層與Cs3Cu2I5光吸收層之間形成交錯(cuò)型能帶排列,利用異質(zhì)結(jié)界面處內(nèi)建電場(chǎng)">

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基于Cs3Cu2I5鈣鈦礦的自供能光電探測(cè)器及其制備方法

990   編輯:管理員   來(lái)源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-02-25 02:15:03
本發(fā)明屬于半導(dǎo)體光電探測(cè)技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種基于Cs3Cu2I5鈣鈦礦的自供能光電探測(cè)器及其制備方法,自供能光電探測(cè)器包括絕緣透明的襯底,襯底的上端從下到上依次設(shè)有載流子傳輸層、Cs3Cu2I5光吸收層和第一接觸電極,載流子傳輸層上設(shè)有第二接觸電極;制備方法采用磁控濺射或金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積方法制備載流子傳輸層,采用溶液或氣相共蒸方法制備Cs3Cu2I5光吸收層,保證載流子傳輸層與Cs3Cu2I5光吸收層之間形成交錯(cuò)型能帶排列,利用異質(zhì)結(jié)界面處內(nèi)建電場(chǎng)的形成使得光生載流子發(fā)生分離,從而實(shí)現(xiàn)探測(cè)器在零伏下的工作。本發(fā)明制備方法簡(jiǎn)單,各功能層均環(huán)境友好,所制備的器件對(duì)紫外光有高的探測(cè)率,紫外可見光抑制比超過(guò)10的四次方,具有良好的應(yīng)用前景。
聲明:
“基于Cs3Cu2I5鈣鈦礦的自供能光電探測(cè)器及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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