本發(fā)明涉及一種三維限制大面積
鈣鈦礦單晶薄膜X射線探測器陣列的制備方法,包括:在襯底層上制備金屬陣列電極;在金屬陣列電極上制備第一圖形層;刻蝕金屬陣列電極上的PMMA層和第一光刻膠,形成隔離槽;在隔離槽上滴加MAPbI3過飽和溶液;在第一光刻膠和MAPbI3過飽和溶液上覆蓋軟板;在加熱的條件下,同時(shí)移除軟板,以在金屬陣列電極上形成MAPbI3單晶薄膜陣列;去除剩余的PMMA層和第一光刻膠,以完成鈣鈦礦單晶薄膜X射線探測器陣列的制備。本發(fā)明的方法制備的晶體陣列具有與塊體鈣鈦礦型單晶相當(dāng)?shù)母呔w質(zhì)量,其厚度、面積可控。
聲明:
“三維限制大面積鈣鈦礦單晶薄膜X射線探測器陣列及方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)