本申請公開了一種生烴窗計算方法、裝置及相關(guān)設(shè)備,該方法包括:通過對地層古厚度進(jìn)行恢復(fù)來確定每一樣品所在地層在每個時間點的上界的古深度及下界的古深度;基于上界的古深度及下界的古深度進(jìn)行隨機(jī)搜索,得到每一樣品所在地層的若干候選埋藏史曲線,所述候選埋藏史曲線包含沉積間斷期的埋藏史;對每條候選埋藏史曲線進(jìn)行平均值計算,得到目標(biāo)埋藏史曲線;通過鏡質(zhì)體反射率計算得到目標(biāo)地層深度,并根據(jù)目標(biāo)地層深度和各目標(biāo)埋藏史曲線,確定生烴窗,其中,目標(biāo)地層深度下的地層能夠達(dá)到生烴條件。本申請通過對沉積間斷期的埋藏史曲線進(jìn)行模擬計算,對地層的剝蝕量進(jìn)行了恢復(fù),從而計算出生烴窗,為油氣地質(zhì)勘探提供了科學(xué)依據(jù)。
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“生烴窗計算方法、裝置及相關(guān)設(shè)備” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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