本發(fā)明屬于半導(dǎo)體光電子器件技術(shù)領(lǐng)域,具體為一種高性能
鈣鈦礦/有機(jī)半導(dǎo)體光電探測(cè)器。本發(fā)明光電探測(cè)器通過(guò)疊層制備工藝制備,其結(jié)構(gòu)由下至上依次為:透明底電極層,有機(jī)半導(dǎo)體和鈣鈦礦功能層,頂電極層;其中,有機(jī)半導(dǎo)體和鈣鈦礦功能層由下至上依次為空穴型有機(jī)半導(dǎo)體、鈣鈦礦、空穴型有機(jī)半導(dǎo)體,或者為電子型有機(jī)半導(dǎo)體、鈣鈦礦、電子型有機(jī)半導(dǎo)體;鈣鈦礦和有機(jī)半導(dǎo)體層構(gòu)成兩個(gè)異質(zhì)結(jié);頂電極為金屬金或者金屬銀。該光電探測(cè)器響應(yīng)光譜寬,對(duì)全波段的可見(jiàn)光譜具有響應(yīng),結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,工作電壓0.7V,且具有電壓飽和特性,能夠有效抑制電壓噪聲對(duì)探測(cè)器性能的影響。
聲明:
“高性能鈣鈦礦/有機(jī)半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)型光電探測(cè)器” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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