一種SiC/Co異質(zhì)復(fù)合納米線的制備方法，它涉及一種復(fù)合納米線的制備方法。本發(fā)明的目的是要解決現(xiàn)有SiC/Co復(fù)合材料化學(xué)鍍制備方法的存在步驟繁瑣、可控性差和沉積粒子尺寸過大的問題。方法：一、混合；二、回流反應(yīng)；三、磁分離，即得到SiC/Co異質(zhì)復(fù)合納米線。本發(fā)明優(yōu)點(diǎn)：一、克服傳統(tǒng)化學(xué)鍍存在步驟繁瑣和可控性差的問題；二、本發(fā)明SiC納米線表面沉積的Co粒子的尺寸為5nm～10nm。本發(fā)明主要用于制備SiC/Co異質(zhì)復(fù)合納米線。