本發(fā)明提供了一種金屬負(fù)載碳/聚合物基電磁屏蔽材料及其制備方法，屬于電磁屏蔽材料制備領(lǐng)域，具體包括：將CoFe₂O₄納米粉末修飾MoS₂在上，得到MoS₂@CoFe₂O₄納米粉末，再負(fù)載在石墨烯微片上，再通過聚氨基甲酸酯浸漬，再熔融負(fù)載在聚丙交酯上，再通過真空滲透填充PBAT得到電磁屏蔽復(fù)合材料，所述MoS₂@CoFe₂O₄納米粉末含量為8?10wt％,所述石墨烯微片含量為12?15wt％，所述聚氨基甲酸酯含量為5?8wt％，所述PBAT含量為8?10wt％，余量為聚丙交酯，其中，MoS₂@CoFe₂O₄納米粉末中Mo、Co、Fe的摩爾比為1?1.5:2:1:1.2。本發(fā)明提供的金屬負(fù)載碳/聚合物基電磁屏蔽材料，通過金屬負(fù)載在材料上，可填充碳/聚合物基電磁屏蔽材料的位格缺陷，提升電磁屏蔽材料的電磁屏蔽效率，通過PU浸漬和PBAT滲透提升材料的機(jī)械性能。