本發(fā)明涉及一種基于Ga2O3/
鈣鈦礦異質(zhì)結(jié)的光電探測器的制備方法,包括:選取半絕緣半透明襯底;在所述襯底表面淀積形成底電極;在所述底電極表面淀積Ga2O3層;在所述Ga2O3層表面旋涂鈣鈦礦層;在所述鈣鈦礦層表面淀積形成頂電極,以完成所述光電探測器的制備。本發(fā)明提供的基于Ga2O3/鈣鈦礦異質(zhì)結(jié)的光電探測器,可以探測從深紫外到近紅外的寬范圍光譜;具有較高的響應(yīng)度和探測率,同時具有低的暗電流密度和高的外量子效率;該探測器結(jié)構(gòu)簡單、效率高、響應(yīng)快、工作穩(wěn)定、使用壽命長,生產(chǎn)成本低,無需昂貴的儀器設(shè)備等優(yōu)點。
聲明:
“基于Ga2O3/鈣鈦礦異質(zhì)結(jié)的光電探測器及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)