本發(fā)明公開了一種電場調控
鈣鈦礦晶粒二次生長的方法,涉及太陽電池領域,其特征在于,在現(xiàn)有一步旋涂法熱處理的基礎上,自主設計了一個加電場的裝置,此裝置可以根據(jù)需要通過調節(jié)倆電極的距離進而調控電場強度,從而實現(xiàn)調控薄膜晶粒的二次生長。本發(fā)明利用探針接觸薄膜的導電ITO面,實現(xiàn)電場處理過程中的可視化,并且對樣品薄膜是無損。本發(fā)明不使用化學方法更加環(huán)保,簡單易行。通過電場處理的鈣鈦礦薄膜更大的晶粒尺寸、更多的鈣鈦礦成分,其制備的鈣鈦礦太陽電池具有更大的開路電壓、短路電流密度,進而具有更高的光電轉換效率,且具有更好地穩(wěn)定性。
聲明:
“電場調控鈣鈦礦晶粒二次生長的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)