本發(fā)明涉及一種真空碳熱還原制備高純球形二氧化硅的方法,采用生物質(zhì)燃燒灰、粉煤灰、二氧化硅礦為原料,木炭、石油焦或煤為碳質(zhì)還原劑,在真空爐內(nèi),進(jìn)行碳熱還原反應(yīng),生成一氧化硅氣體,冷卻后發(fā)生歧化反應(yīng)生成球形納米二氧化硅和球形納米硅,經(jīng)過氧化處理,生成高純球形二氧化硅,其純度大于99.99%,成球率達(dá)到90%以上,粒度分布均勻,粒徑為50-200納米之間,以滿足電子、電器、化工產(chǎn)品的功能填料的需要。
聲明:
“真空碳熱還原制備高純球形二氧化硅的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)