本發(fā)明公開了一種溫差定位誘導
鈣鈦礦單晶的可控生長方法,基于溶液法,利用有機?無機雜化鈣鈦礦在特定溶劑中的溶解度隨著溫度的上升有著明顯下降的特點,在析晶點附近,人為制造溫差,可控誘導成核,達到晶體的可控生長。由于聚四氟乙烯易加工、耐高溫、耐腐蝕、導熱系數(shù)低、傳熱慢,金屬傳熱快,在金屬與聚四氟乙烯交界處附近形成一定溫差,且該范圍區(qū)域的溫度高于其他位置,使該區(qū)域溶解度降低,相對低于其他位置,以誘導在該區(qū)域成核。這種方法制備相比于常規(guī)逆溫生長方法能實現(xiàn)可控成核,可控生長;原料利用率高;生長出來的晶體質量高,形狀規(guī)則,受到應力小,該制備方法制備出來的單晶可制作出優(yōu)異性能的光電探測器以及高能粒子探測器。
聲明:
“溫差定位誘導鈣鈦礦單晶的可控生長方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
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