本發(fā)明涉及一種高熱導(dǎo)率無壓燒結(jié)碳化硅陶瓷材料及其制備方法,它由以下質(zhì)量百分比的原料組成:碳化硅75~95wt.%,
石墨烯0.5~10wt.%,表面活性劑1~3wt.%,分散劑0.5~2.5wt.%,粘結(jié)劑2~10wt.%,碳化硼0.5~3.5wt.%,本發(fā)明通過碳化硅、石墨烯、碳化硼之間的特定配比,壓制成坯體,真空條件下無壓燒結(jié),制得SiC陶瓷材料,石墨烯均勻分布于SiC基體材料中,并與SiC形成緊密結(jié)合,避免了材料內(nèi)部氣孔對聲子散射導(dǎo)致的熱導(dǎo)率降低抵消并超過引入石墨烯對熱導(dǎo)率提高的作用,既保證了陶瓷材料的致密化,同時又達(dá)到較高的熱導(dǎo)率,保證了材料均勻一致。
聲明:
“高熱導(dǎo)率無壓燒結(jié)碳化硅陶瓷材料及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)