本發(fā)明提供了一種
芯片引線框架材料用高純Cu?Al?Ag合金的制備方法,包括:將銅粉、鋁粉和銀粉混合球磨得到混合粉體;將混合粉體冷等壓成型,得到Cu?Al?Ag合金毛坯;將所述Cu?Al?Ag合金毛坯放電等離子燒結(jié),得到Cu?Al?Ag合金材料。本發(fā)明采用是濕化學(xué)法制備
高純銅,通過(guò)在銅合金中添加Al、Ag成分,冷等靜壓成型技術(shù)制備合金素坯,再結(jié)合放電等離子燒結(jié)(SPS)技術(shù),不僅可以再較低的溫度下制備出銅
鋁合金材料,而且制備的芯片框架材料,純度高,導(dǎo)電率高,散熱性、強(qiáng)度高,進(jìn)而滿足目前高端芯片框架及封裝材料的性能要求。
聲明:
“芯片引線框架材料用高純Cu-Al-Ag合金及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)