本發(fā)明涉及硼鋁源一次全擴(kuò)散生產(chǎn)KP整流芯片的方法,包括硅片清洗、擴(kuò)散、氧化、一次光刻、磷擴(kuò)、割圓、燒結(jié)、蒸鋁、二次光刻、臺(tái)面腐蝕,其特征在于,所述擴(kuò)散工序?yàn)橐淮稳珨U(kuò)散,具體包括以下步驟:硼源、鋁源制備和一次全擴(kuò)散,擴(kuò)散時(shí)保證石英閉管中硼源片和鋁源片在待擴(kuò)硅片中分布均勻,當(dāng)表面濃度和結(jié)深達(dá)標(biāo)時(shí)擴(kuò)散完成。與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明的有益效果是:在PN結(jié)的生產(chǎn)制造過程中,采用硼鋁兩種元素?cái)U(kuò)散源,一次高溫?cái)U(kuò)散成型,相同規(guī)格的大功率高壓整流芯片產(chǎn)品對(duì)比,電壓提高了800V～1000V,產(chǎn)品使用壽命多出500小時(shí)以上,減少了磷擴(kuò)時(shí)間4～5小時(shí),提高了擴(kuò)散效率,硅單晶片的損傷減少,提高了成品率。