本發(fā)明TiNiCu形狀記憶合金基阻尼
復合材料的制備方法,涉及阻尼材料的制造,通過制備多孔TiNiCu形狀記憶合金并在其孔洞中填充金屬Mg制得TiNiCu形狀記憶合金基阻尼復合材料即Mg/TiNiCu,克服了現有的多孔TiNiCu形狀記憶合金制備方法中孔隙率和孔徑及孔型均難以控制、現有的將Mg引入多孔合金中的技術不可用于Mg對多孔TiNiCu合金的填充、以及合金產品的阻尼性能及其他力學性能尚需提高的缺陷。
聲明:
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