一種電子束蒸發(fā)技術(shù)制備微球碳化硼薄膜的方法,將碳化硼膜料放到電子束蒸發(fā)設(shè) 備的坩堝中,將清洗、干燥后的微球形襯底放到三維沉積裝置的篩網(wǎng)反彈盤里,使微球 形襯底位于坩堝正上方20cm~30cm處;在真空條件進(jìn)行鍍膜,鍍膜真空度不低于 5.0×10-3Pa,襯底溫度為室溫~300℃;調(diào)節(jié)電子束使其聚焦到膜料上的斑點(diǎn)最小,調(diào)節(jié) 三維沉積裝置,使篩網(wǎng)反彈盤以0.125Hz~1Hz的頻率作間歇式振動,束流值控制在 80mA~140mA,鍍膜時(shí)間為5h-100h。此方法可制備出球形襯底的微球碳化硼薄膜, 薄膜結(jié)構(gòu)因工藝不同有多晶和非晶兩種狀態(tài),所制備的碳化硼薄膜表面光滑、均勻性良 好。
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