本發(fā)明提供了一種壓接式IGBT模塊單面燒結(jié)一致性的方法,該方法包括:從下至上將鉬片、焊片和IGBT
芯片組裝到燒結(jié)卡具中、組裝限位銷壓制壓片和用連續(xù)真空燒結(jié)爐燒結(jié)構(gòu),制得壓接式IGBT模塊單面燒結(jié)連接結(jié)構(gòu)。本發(fā)明提供的制備方法用連續(xù)式真空燒結(jié)爐,能夠大規(guī)模燒結(jié)芯片,極大地縮短了工序時長,效率高,速度快;本發(fā)明中提供的燒結(jié)方法將待燒結(jié)零件與卡具之間的接觸關(guān)系由面接觸轉(zhuǎn)變?yōu)辄c接觸,解決了燒結(jié)過程中焊料溢出損害卡具以及工件無法取出的問題,改善了燒結(jié)過程中焊料的溢出,確保了燒結(jié)后工件的高度一致性。
聲明:
“燒結(jié)卡具、壓接式IGBT模塊單面燒結(jié)方法及制得的子模組” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)