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基于氧化鎵鈣鈦礦多層堆疊結構的PIN二極管及其制備方法

923 編輯：管理員來源：中冶有色技術網

2023-03-01 00:30:10

本發(fā)明屬于半導體領域，具體提供了一種基于氧化鎵鈣鈦礦多層堆疊結構的PIN二極管，包括最底層的Ga₂O₃襯底、生長在Ga₂O₃襯底表面一側的CsPbI₃層和另一側的底電極、生長在CsPbI₃層表面的鈣鈦礦層、生長在鈣鈦礦層表面的本征Ga₂O₃層以及生長在Ga₂O₃層表面的頂電極；本發(fā)明的PIN二極管具有使載流子快速分離和傳導的性能，應用在光電探測器中可以使光電探測器實現紫外?可見光的雙波段探測。

聲明：

“基于氧化鎵鈣鈦礦多層堆疊結構的PIN二極管及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。

我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)