2AgBiBr6薄膜的光電導(dǎo)型探測(cè)器及制備方法,探礦技術(shù)"> 2AgBiBr6薄膜的光電導(dǎo)型探測(cè)器及制備方法,本發(fā)明屬于半導(dǎo)體光電探測(cè)技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種基于Cs2AgBiBr6薄膜的光電導(dǎo)型探測(cè)器及制備方法。其結(jié)構(gòu)由Si襯底、絕緣的SiO2層、Au叉指電極和Cs2AgBiBr6薄膜構(gòu)成。其特征在于,采用簡(jiǎn)單的制備方法實(shí)現(xiàn)了非鉛Cs2AgBiBr6薄膜的制備,克服了傳統(tǒng)鈣鈦礦結(jié)構(gòu)在不穩(wěn)定性和鉛毒性上的缺點(diǎn),對(duì)鈣鈦礦光探測(cè)器簡(jiǎn)化工藝、環(huán)境友好、進(jìn)而走向?qū)嵱没哂蟹浅V匾囊饬x。">
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