本發(fā)明公開了一種適用于高能光子探測(cè)的隧穿光電二極管及其制備方法，采用厚度很高的本征鈣鈦礦晶體作為高能光子吸收體，獲得較高的光子吸收和轉(zhuǎn)換效率。利用溶液摻雜外延的方法在本征鈣鈦礦晶體兩端分別生長(zhǎng)鈣鈦礦P型層和N型層，構(gòu)成鈣鈦礦PIN結(jié)，并利用結(jié)區(qū)耗盡層勢(shì)壘抑制暗電流和噪聲。在結(jié)區(qū)外延生長(zhǎng)窄帶隙量子點(diǎn)，構(gòu)成能帶陷阱。當(dāng)高能光子入射后，鈣鈦礦本征吸收體產(chǎn)生的光生載流子注入量子點(diǎn)能級(jí)陷阱，并發(fā)生隧穿場(chǎng)致發(fā)射，獲得高增益光電流。與常規(guī)的高能光子PIN探測(cè)結(jié)構(gòu)相比較，由于引入了隧穿場(chǎng)發(fā)射結(jié)構(gòu)，可以獲得較高的光電流增益。與高能光子雪崩二極管探測(cè)結(jié)構(gòu)向比較，由于不產(chǎn)生隨機(jī)的雪崩效應(yīng)，所以散粒噪聲比較小。