本申請?zhí)峁┮环N鉬合金管靶材及其制備方法和用途,屬于
粉末冶金技術(shù)領(lǐng)域。該靶材以質(zhì)量百分比計,包括Ni:10~30%,Ti:5~25%,W:1~20%,Re:0.5~5%,M:0?15%,M為Cr、Zr、Ta、Nb中的至少一種,其中M用于替代部分Ti,余量為Mo和不可避免的雜質(zhì),Mo在鉬合金管靶材中的質(zhì)量百分比含量不低于50%,經(jīng)冷等靜壓成型、包套、熱等靜壓、擠壓成型、退火等工序制備而成。本申請?zhí)峁┑陌胁乃茼g性好,變形能力較好,晶粒細小均勻。用本申請制備的靶材濺射沉積的薄膜的厚度分布更均勻,可通過濺射方式附著在電子部件用層疊配線膜的主導(dǎo)電層上形成金屬覆蓋層,用于平面顯示器、薄膜太陽能和半導(dǎo)體裝置等。
聲明:
“鉬合金管靶材及其制備方法和用途” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)