本發(fā)明公開了一種具有高熱穩(wěn)定性和低TCR的富硅Cr-Si基電阻膜及其制備方法,其元素組成及其質(zhì)量百分比含量為43wt.%Cr,,55wt.%Si,2wt.%Mo;通過
粉末冶金法制備Cr-Si-Mo靶材,采用磁控濺射法制備富硅Cr-Si基電阻膜:本底真空為3×10-3Pa,濺射真空為(0.65~5)×10-1Pa,濺射電壓為250~600V,濺射電流為100~300mA,Ar氣流量為15~35sccm,膜沉積時間為1~3h;于500℃下N2中退火2h。本發(fā)明的電阻溫度系數(shù)為-8~-25ppm/℃;按GJB1929-94標準進行壽命實驗和高溫貯存實驗后,電阻變化率均滿足ΔR/R≤1%,特別適用于精密儀器和高性能集成電路。
聲明:
“具有高熱穩(wěn)定性和低TCR的富硅Cr-Si基電阻膜及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
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