高真空脈沖激光沉積系統(tǒng) PLD
高真空脈沖激光沉積系統(tǒng)(PLD)是冶金和材料科學領(lǐng)域中一種先進的薄膜沉積技術(shù)。它通過使用高能脈沖激光快速蒸發(fā)靶材,生成與靶材組成相同的薄膜,特別適用于制備復雜氧化物、陶瓷和
半導體材料等。PLD技術(shù)的獨特之處在于能量源(脈沖激光)位于真空室外部,這使得在材料合成時,工作壓力的動態(tài)范圍非常寬,能夠達到10^-8Pa至1Pa,從而為合成具有獨特功能的納米結(jié)構(gòu)和納米顆粒提供了可能。
一、 設(shè)備主要功能及組成
1. 脈沖激光沉積(PLD)是一種用途廣泛的薄膜沉積技術(shù)。脈沖激光快速蒸發(fā)靶材,生成與靶材組成相同的薄膜。PLD的獨特之處是能量源(脈沖激光)位于真空室的外面。這樣,在材料合成時,工作壓力的動態(tài)范圍很寬,達到10-8Pa ~ 1Pa。通過控制鍍膜壓力和溫度,可以合成一系列具有獨特功能的納米結(jié)構(gòu)和納米顆粒。另外,PLD是一種“數(shù)字”技術(shù),在納米尺度上進行工藝控制(A°/pulse)
2. 設(shè)備主要由高真空獲得與測量系統(tǒng)、樣品臺、激光靶系統(tǒng)、激光偏轉(zhuǎn)掃描系統(tǒng)、輔助沉積系統(tǒng)及電氣控制系統(tǒng)等六部分組成。
3. 高真空機組采用分子泵機組或離子泵機組。
4. 樣品臺可在線伸縮,旋轉(zhuǎn),襯底加熱。
5. 激光靶四靶位,可公轉(zhuǎn)換位,可自轉(zhuǎn),轉(zhuǎn)速可調(diào)。
6. 輔助沉積系統(tǒng)可選配輝光清洗靶、負離子發(fā)生器、霍爾離子源、磁控濺射靶等。
7. 入射窗前端配置激光XY掃描系統(tǒng),可將入射激光偏轉(zhuǎn),以均勻掃描靶面。
8. 可選配膜厚控制儀,進行在線測量和監(jiān)控。
9. 電氣控制系統(tǒng)具有多種報警功能,能及時提示故障情況,保障設(shè)備安全運行。
二、 主要技術(shù)參數(shù)
1. 真空室尺寸:?450(定制)(球形或圓筒形真空室)
2. 極限真空度:≤6.7×10-5Pa / ≤5.0×10-6Pa
3. 漏率:≤10-7 Pa?L/s
4. 樣品臺:可在線升降(靶基距可調(diào))、旋轉(zhuǎn)、襯底加熱
5. 可選配輔助沉積系統(tǒng):輝光清洗靶、負離子發(fā)生器、霍爾離子源、磁控濺射靶等
6. 可選配工藝系統(tǒng):手套箱工作站、樣品預處理室、自動樣品庫等
7. 供電電源:380V 50Hz(三相五線制)
8. 進水排管徑:DN25
9. 工作水壓:0.2Mpa