本發(fā)明一種去除
多晶硅中雜質(zhì)磷的方法及裝置屬于用物理冶金技術(shù)提純多晶硅的技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種利用電子束熔煉技術(shù)將多晶硅中的雜質(zhì)磷去除的方法及裝置。該方法中采用雙電子束,用旋轉(zhuǎn)水冷銅坩堝的方式使電子束可以充分對多晶硅進(jìn)行熔煉,可以在熔煉過程中加料實(shí)現(xiàn)連續(xù)作業(yè),去除多晶硅中雜質(zhì)磷。將多晶硅料裝入水冷銅坩堝中,關(guān)閉真空裝置蓋;然后抽真空,給左、右電子槍預(yù)熱。所用的裝置由真空裝置蓋與真空圓桶構(gòu)成裝置外殼,真空圓桶內(nèi)腔即為真空室。多晶硅中有害的雜質(zhì)磷用電子束熔煉去除,充分完全,有效提高了多晶硅的純度,實(shí)現(xiàn)連續(xù)作業(yè)。方法效率高、裝置簡單、節(jié)約能源。
聲明:
“去除多晶硅中雜質(zhì)磷的方法及裝置” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)