一種浮法冶金融熔生長太陽能多晶帶硅及雜質(zhì)提純方法,涉及光電產(chǎn)業(yè)及半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的
多晶硅制作。以高純
石墨坩堝為液槽,以BI-SI融體為基本母液成分,采用真空電阻爐設(shè)備作為整個(gè)體系的升溫裝置,通過改變條件,調(diào)控調(diào)控微觀硅晶體從母液中析出帶硅,然后在惰性氣體保護(hù)下采用激光退火、燈光退火、電子束退火、區(qū)熔退火等再結(jié)晶實(shí)驗(yàn)手段進(jìn)行處理,改善晶體結(jié)構(gòu),促使晶粒長大。
聲明:
“浮法冶金熔融析出雜質(zhì)提純生產(chǎn)太陽能多晶帶硅” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)