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在冶金級(jí)Si襯底上基于外延晶體硅薄膜的太陽(yáng)能異質(zhì)結(jié)電池設(shè)計(jì)

941   編輯:管理員   來(lái)源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-18 14:36:03
本發(fā)明的一種實(shí)施方式提供一種異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池。所述太陽(yáng)能電池包括:冶金級(jí)硅(MG-Si)襯底;位于冶金級(jí)硅(MG-Si)襯底之上的重?fù)诫s晶體硅層;位于重?fù)诫s晶體硅層之上的輕摻雜晶體硅層;位于MG-Si襯底背側(cè)上的背側(cè)歐姆接觸層;位于重?fù)诫s晶體硅層之上的鈍化層;位于鈍化層之上的重?fù)诫s非晶硅(a-Si)層;位于重?fù)诫sa-Si層之上的透明導(dǎo)電氧化物(TCO)層;以及位于TCO層之上的前歐姆接觸電極。
聲明:
“在冶金級(jí)Si襯底上基于外延晶體硅薄膜的太陽(yáng)能異質(zhì)結(jié)電池設(shè)計(jì)” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專(zhuān)利(論文)的發(fā)明人(作者)
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