本發(fā)明公開了一種低成本的去除冶金硅中雜質硼的方法,采用高溫熱氧化法首先在冶金硅表面生長二氧化硅薄層,其次通過熱處理方式,調控雜質硼在二氧化硅/硅界面處的分凝,以及調控雜質硼過飽和析出、富集并偏析至硅晶界處,使得冶金硅內部的雜質硼擴散到二氧化硅/硅界面附近,然后去除二氧化硅,最后采用化學濕法酸處理,達到去除雜質的目的。本發(fā)明提出的新方法的總雜質去除率大于96%,雜質硼去除率大于93%,具有總雜質和硼雜質去除效率高、工藝流程短、生產成本低、污染小等特點,很容易在產業(yè)化上進行推廣應用。
聲明:
“低成本去除冶金硅中雜質硼的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
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