本發(fā)明公開了一種在直流電場作用下定向凝固提純
多晶硅的方法,該方法是在多晶硅定向凝固晶體生長過程中,對熔融硅液施加一個與晶體生長方向平行的直流電場,使雜質(zhì)在電場作用下迅速向電極方向遷移,即陽離子雜質(zhì)向陰極方向遷移,陰離子雜質(zhì)向陽極方向遷移,有效降低晶體生長先端液相中的雜質(zhì)濃度,使后續(xù)生長的晶體雜質(zhì)含量更低,獲得比傳統(tǒng)定向凝固純度更高的多晶硅錠。
聲明:
“直流電場下定向凝固提純多晶硅的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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