本發(fā)明公開了磁控濺射法制備TiCoSb半導(dǎo)體薄膜,涉及無機化合物功能薄膜制備技術(shù)領(lǐng)域及磁控濺射技術(shù)領(lǐng)域。其特征在于是通過一種特殊設(shè)計的復(fù)合靶材,利用普通磁控濺射及后退火處理得到成分分布均勻的、符合化學(xué)計量比的多元素化合物TiCoSb薄膜。其主要工藝參數(shù)為:濺射功率20W,工作氣壓0.7Pa,濺射時間60-120min,快速退火時間1-5min,常規(guī)退火時間30-120min。本發(fā)明實現(xiàn)了TiCoSb材料的薄膜化,為對其熱電和光電性能的進一步研究及對其在薄膜熱電、光電器件領(lǐng)域的應(yīng)用有相當(dāng)積極的作用。
聲明:
“磁控濺射法制備TiCoSb半導(dǎo)體薄膜” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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