本發(fā)明屬于用物理冶金技術(shù)提純
多晶硅的技術(shù)領(lǐng)域。一種電子束造渣熔煉去除多晶硅中雜質(zhì)硼的方法,將洗凈后的多晶硅料及造渣劑均勻混合形成混合料;再預(yù)處理:將混合料放入電子束熔煉爐內(nèi)的熔煉坩堝中,對熔煉坩堝進(jìn)行坩堝水冷,預(yù)熱電子槍;采用小束流電子束轟擊混合料,混合料熔化后增大電子束至250-500mA進(jìn)行熔煉,雜質(zhì)硼在熔煉過程中與堿性造渣劑反應(yīng)生成氣體揮發(fā)而去除,冷卻凝固得到低硼的多晶硅錠。本發(fā)明采用了電子束造渣熔煉的技術(shù),結(jié)合了造渣除硼和電子束除去揮發(fā)性雜質(zhì)的特點(diǎn),工藝更加簡單,有效將電子束與造渣工藝結(jié)合,工藝條件溫和易于操作,生產(chǎn)周期短,節(jié)能降耗,提純效果好,技術(shù)穩(wěn)定,生產(chǎn)效率高。
聲明:
“電子束造渣熔煉去除多晶硅中雜質(zhì)硼的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)