本發(fā)明公開一種低溫固體氧化物電解池及其制備方法,所述電解池包括氫電極層、電解質層、電子阻擋層、隔層、氧電極層,其中,氫電極層為NiO與摻雜的氧化鈰LnxCe1?xO2組成的
復合材料,電解質層為摻雜的氧化鈰基材料LnxCe1?xO2,Ln為La、Gd、Sm、Pr、Er中的一種或多種,0.1≤x≤0.5,電子阻擋層為摻雜的氧化鋯基材料MyZr1?yO2,M為Y、Sc、Ce、Yb、La、Gd、Sm中的一種或幾種,0≤y≤0.5,隔層為摻雜的氧化鈰LnxCe1?xO2,LnxCe1?xO2,Ln為La、Gd、Sm、Y、Pr、Er中的一種或多種,0.1≤x≤0.5,氧電極為
鈣鈦礦氧化物、類鈣鈦礦氧化物或鈣鈦礦氧化物與摻雜的氧化鈰或類鈣鈦礦氧化物與摻雜的氧化鈰構成的復合材料。本發(fā)明電解池具有優(yōu)異的低溫
電解水制氫及供電解水和二氧化碳的性能。
聲明:
“固體氧化物電解池及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)