本發(fā)明公開了一種離子注入機穩(wěn)定性的監(jiān)控方法,包括以下步驟:S1、先取光硅片,并生長氧化層;S2、對生長氧化層的光硅片進行離子注入,且將離子注入的濃度峰值注入在硅和氧化層的交界面;S3、進行快速熱處理,激活雜質(zhì),形成導(dǎo)電層;S4、去除氧化層;S5、對去除氧化層的導(dǎo)電層進行電阻值的測試,確認電阻穩(wěn)定性;S6、對導(dǎo)電層進行多次定頻監(jiān)控;本發(fā)明改變現(xiàn)有的注入機臺監(jiān)控方式,對注入機能量和劑量的穩(wěn)定性監(jiān)控都能起到很好的作用,大大降低因機臺的波動而造成批量產(chǎn)品的失效報廢的機率,具有良好的市場應(yīng)用價值。
聲明:
“離子注入機穩(wěn)定性的監(jiān)控方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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