一種基于MOS器件內(nèi)柵電荷補(bǔ)償?shù)目箍倓┝啃?yīng)的方法屬于抗輻照半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明至少包括兩種新型MOS器件結(jié)構(gòu)和一種新型電路結(jié)構(gòu)，能夠大幅度增強(qiáng)LDMOS器件的抗輻照性能。本發(fā)明針對(duì)星載LDMOS在總劑量效應(yīng)作用下產(chǎn)生的閾值漂移甚至是器件失效，提出在LDMOS柵極添加輔助柵極以共同構(gòu)成復(fù)合柵極，再通過(guò)旁置的浮柵MOS來(lái)引入外部負(fù)壓源。當(dāng)總劑量效應(yīng)使得LDMOS柵氧化層中積累一定量的正電荷后，通過(guò)浮柵MOS檢測(cè)LDMOS閾值漂移程度，且其自身與外部負(fù)壓源共同向LDMOS輔助柵極引入負(fù)電荷來(lái)抑制LDMOS的閾值漂移，并在LDMOS閾值回歸正常范圍后停止該過(guò)程，總體上達(dá)到將LDMOS閾值控制在合理范圍內(nèi)的效果。本發(fā)明可提高集成電路的抗輻照能力。