本發(fā)明提供一種可變電阻隨機(jī)存取存儲器,通過修復(fù)失效的存儲單元來抑制性能衰退。本發(fā)明的可變電阻隨機(jī)存取存儲器包括存儲器陣列、行選擇電路、列選擇電路、控制器、錯誤檢查校正電路、錯誤比特旗標(biāo)暫存器,以及錯誤比特地址暫存器。存儲器陣列包括多個存儲單元。列選擇電路包括感測放大器以及寫入驅(qū)動/讀取偏壓電路。錯誤比特旗標(biāo)暫存器于寫入操作存儲存在/不存在的錯誤比特。錯誤比特地址暫存器存儲錯誤比特的地址。當(dāng)預(yù)定事件發(fā)生時,控制器修復(fù)錯誤比特。
聲明:
“可變電阻隨機(jī)存取存儲器” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)