本發(fā)明公開了一種判定異常短接位置的電壓襯度方法,包含如下步驟:選取樣品,將樣品研磨至懷疑的層次;對懷疑區(qū)域多次掃描并相應(yīng)存儲電壓襯度照片,觀察目標(biāo)區(qū)域內(nèi),有無電壓襯度表現(xiàn)異常的單個區(qū)域,以及有無跟隨變化的兩塊或多塊區(qū)域;對觀察到有異常的單個或多個區(qū)域,采用短接到地的方式,放大電壓襯度像的異常程度,找到懷疑短接點;明確短接點之后,采用聚焦離子束斷面觀察、透射電鏡樣品制樣方式進行制樣,觀察短接處成分。通過上述方法能快速準(zhǔn)確判斷集成電路存在異常短接的位置及發(fā)生短接的成因,提高集成電路失效分析的效率。
聲明:
“判定異常短接位置的電壓襯度方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)