本發(fā)明公開了一種反應離子蝕刻(RIE)工藝,目的是確保鎢柱完整及表面潔凈無雜質(zhì)(如圖1),利于掃描電子顯微鏡觀察,分析失效原因。根據(jù)
芯片樣本表面的欲蝕刻材料選擇相應的蝕刻氣體,并在蝕刻氣體中加入惰性氣體;蝕刻過程中主要通過調(diào)整樣品的傾斜角度、過程清洗及產(chǎn)生高速撞擊離子的設備的功率、蝕刻氣體和惰性氣體的配比來控制欲蝕刻樣本的表面欲蝕刻材料和非欲蝕刻材料的蝕刻速度比。通過本發(fā)明提供的控制方法能夠使反應離子蝕刻保留具有各向異性特點,同時又能獲得高刻蝕選擇比。本發(fā)明還提供了一種控制反應離子蝕刻的蝕刻速度的系統(tǒng)。
聲明:
“反應離子蝕刻的蝕刻速度控制方法和系統(tǒng)” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)