本發(fā)明公開了一種基于魯棒設(shè)計(jì)的高密度集成電路封裝熱疲勞結(jié)構(gòu)可靠性優(yōu)化的新方法，包括以下步驟：確定待優(yōu)化的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)變量，把封裝主要熱失效部件的熱疲勞應(yīng)變作為優(yōu)化目標(biāo)函數(shù)；根據(jù)確定的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)變量和優(yōu)化目標(biāo)，進(jìn)行三水平二階魯棒實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)；對三水平二階魯棒實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)點(diǎn)分別進(jìn)行熱疲勞應(yīng)變的有限元分析和計(jì)算，形成完整的三水平二階魯棒實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)表；根據(jù)完整的三水平二階魯棒實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)點(diǎn)和對應(yīng)的熱疲勞應(yīng)變值，運(yùn)用最小二乘法構(gòu)建高密度集成電路封裝目標(biāo)函數(shù)的二次曲面模型。此發(fā)明解決了高密度集成電路封裝熱可靠性分析和設(shè)計(jì)的關(guān)鍵技術(shù)，為高密度集成電路封裝熱可靠性分析和設(shè)計(jì)提供了新的方法。