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可監(jiān)測溫度的IGBT功率半導體模塊結構

1168 編輯：管理員來源：中冶有色技術網(wǎng)

2023-03-19 09:00:35

一種可監(jiān)測溫度的IGBT功率半導體模塊結構，基板上端中部通過錫膏燒結有主DBC板，主DBC板上通過錫膏燒結有IGBT芯片和FRD芯片，IGBT芯片和FRD芯片之間通過鋁線超聲鍵合，主DBC板上端設有功率端子觸點；基板上端一側(cè)通過錫膏燒結有第一輔助DBC板，輔助DBC板上端承載有熱敏電阻，第一輔助DBC板上端還設有與熱敏電阻電連接的溫度信號輸出觸點；基板上端另外一側(cè)通過錫膏燒結有第二輔助DBC板，第二輔助DBC板上端設有信號端子觸點；引線端子與溫度信號輸出觸點電連接，信號端子與信號端子觸點電連接，功率端子與功率端子觸點電連接。本技術方案能夠監(jiān)測IGBT模塊芯片的結溫，避免芯片溫度過高引起的失效。

聲明：

“可監(jiān)測溫度的IGBT功率半導體模塊結構” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。

我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)